產(chǎn)品中心
PRODUCTS CENTER
當(dāng)前位置：首頁
產(chǎn)品中心光學(xué)元件光學(xué)窗片ELSC45Thorlabs 單晶金剛石 光學(xué)元件
產(chǎn)品簡介
Thorlabs 單晶金剛石 光學(xué)元件通過化學(xué)氣相沉積(CVD)生長的單晶金剛石提供量子級或電子級金剛石版本低氮-空位(NV)中心密度：≤0.03 ppb提供兩種尺寸：4.0 mm x 4.0 mm方形4.5 mm x 4.5 mm方形
相關(guān)文章
Thorlabs 單晶金剛石 光學(xué)元件
特性
通過化學(xué)氣相沉積(CVD)生長的單晶金剛石
提供量子級或電子級金剛石版本
這些單晶金剛石由Element Six公司的zhuan利工藝制成，并通過Thorlabs提供，以促進(jìn)量子研究的發(fā)展，非常適合磁場傳感、射頻探測、陀螺儀、微波激射、量子演示、量子計(jì)算、量子通信和研究應(yīng)用。量子級金剛石具有密度為300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心。對于想要?jiǎng)?chuàng)建缺陷中心的用戶，可以使用NV濃度≤0.03 ppb且具有低背景雜質(zhì)的電子級金剛石。這些金剛石可用于制造抗電離輻射設(shè)備等應(yīng)用。
Thorlabs 單晶金剛石 光學(xué)元件（量子級）
提供兩種NV中心密度：
DNVB14：4.5 ppm
DNVB1：300 ppb
提供3.0 mm x 3.0 mm方形
這些量子級金剛石具有密度為300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心，可產(chǎn)生可讀和可寫自旋量子比特，且這些量子比特在室溫下具有較長的壽命，這些優(yōu)勢源于金剛石的結(jié)構(gòu)和強(qiáng)共價(jià)鍵。NV自旋中心的密度、中心的均勻分布、自旋特性以及緊湊的形狀因子使得這種金剛石非常適合交流磁場傳感、射頻探測、陀螺儀、微波激射、量子演示和研究應(yīng)用。
| Item # | DNVB1 | DNVB14 | |
|---|---|---|---|
| Quantum Properties | |||
| Typical NV Center Density | 300 ppb | 4.5 ppm | |
| Typical Spin Coherence Time T2* a | 1 µs | 0.5 µs | |
| Typical Spin Coherence Time T2 b | 200 µs | 10 µs | |
| General Specifications | |||
| Crystallographic Orientation | ± 3° | ||
| Edge Orientation | < 100 > | ||
| Dimensionsc | Length | 3.0 +0.2/-0.0 mm | |
| Width | 3.0 +0.2/-0.0 mm | ||
| Thickness | 0.5 ± 0.05 mm | ||
| Laser Kerf | ≤5° | ||
| Edge Features | < 0.2 mm | ||
| Roughness, Ra | < 10 nm | ||
| 13C Fraction | 1.1% | ||
Thorlabs 單晶金剛石 光學(xué)元件（電子級）
低氮-空位(NV)中心密度：≤0.03 ppb
提供兩種尺寸：
4.0 mm x 4.0 mm方形
4.5 mm x 4.5 mm方形
這些電子級單晶金剛石的氮濃度≤5 ppb，氮-空位(NV)濃度通?！?.03 ppb。此外，金剛石的背景雜質(zhì)硼濃度非常低(< 1 ppb)，且電子遷移率一般大于2000 cm2/V?s。用戶可使用這些金剛石探測已生長的NV缺陷或通過離子注入或外延生長產(chǎn)生自己的缺陷。此外，它們可以用作高功率激光器、微電子設(shè)備或定制金剛石電子設(shè)備(例如輻射探測器)的高導(dǎo)熱性和光學(xué)透明散熱器。金剛石的尺寸可選4.0 mm x 4.0 mm或4.5 mm x 4.5 mm方形。
| Item # | ELSC40 | ELSC45 | |
|---|---|---|---|
| Crystallographic Orientation | ± 3° | ||
| Edge Orientation | < 110 > | ||
| Dimensionsa | Length | 4.0 +0.2/-0.0 mm | 4.5 +0.2/-0.0 mm |
| Width | 4.0 +0.2/-0.0 mm | 4.5 +0.2/-0.0 mm | |
| Thickness | 0.5 ± 0.05 mm | 0.5 ± 0.05 mm | |
| Laser Kerf | ≤5° | ||
| Edge Features | < 0.2 mm | ||
| Roughness, Ra | < 5 nm | ||
| Boron Concentration | < 1 ppb | ||
| Nitrogen Concentration | ≤5 ppb | ||
| Typical NV Concentration | ≤0.03 ppb | ||
| 13C Fraction | 1.1% | ||
公司郵箱： panyue@sourcescn.com
服務(wù)熱線： 0532-80982936
公司地址： 山東省青島市黃島區(qū)峨眉山路396號光谷軟件園57號樓501
Copyright © 2026 青島森泉光電有限公司 All Rights Reserved
備案號：魯ICP備18050584號-2
技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) 管理登錄 sitemap.xml
產(chǎn)品分類
上一個(gè)：
返回列表